6500V High Power Thyristor untuk Aplikasi Kawalan Fasa
6500V High Power Thyristor untuk Aplikasi Kawalan Fasa
6500V High Power Thyristor untuk Aplikasi Kawalan Fasa
6500V High Power Thyristor untuk Aplikasi Kawalan Fasa
6500V High Power Thyristor untuk Aplikasi Kawalan Fasa
6500V High Power Thyristor untuk Aplikasi Kawalan Fasa
6500V High Power Thyristor untuk Aplikasi Kawalan Fasa
6500V High Power Thyristor untuk Aplikasi Kawalan Fasa
6500V High Power Thyristor untuk Aplikasi Kawalan Fasa
6500V High Power Thyristor untuk Aplikasi Kawalan Fasa
6500V High Power Thyristor untuk Aplikasi Kawalan Fasa
6500V High Power Thyristor untuk Aplikasi Kawalan Fasa
6500V High Power Thyristor untuk Aplikasi Kawalan Fasa

Video

1 / 5

6500V High Power Thyristor untuk Aplikasi Kawalan Fasa

  • $250.00

    ≥2 Piece/Pieces

  • $210.00

    ≥10 Piece/Pieces

Options:

  • VRRM:6500V
  • VDRM:6500V
  • IRRM:40 mA
  • IDRM:200mA
  • dV/dt:1000 V/μsec
  • IT(AV):1000A
  • ITRMS:1650A
Hantar pertanyaan
Model No. : YZPST-KP1000A6500V
Brand Name : YZPST
place of origin : China
VRRM : 6500V
VDRM : 6500V
IRRM : 40 mA
IDRM : 200mA
dV/dt : 1000 V/μsec
IT(AV) : 1000A
ITRMS : 1650A
lebih
6yrs

Yangzhou, Jiangsu, China

Lawati kedai
  • Pembekal Emas
  • Pensijilan platform
  • Ekspo dalam talian
  • Video

Penerangan Produk

P/N: YZPST-KP1000A/6500V


Kuasa tinggi thyristo r untuk Fasa Kawalan Aplikasi

Ciri-ciri:

. Semua Strucsu tersebar semula

. Pusat menguatkan konfigurasi ga te

. Dijamin Masa giliran maksimum

. Dv/dt tinggi Keupayaan

. Tekanan dipasang Devi CE

YZPST-KP1000A6500V-1



Menyekat - Di luar negeri

VRRM ( 1)

V DRM ( 1)

VRSM ( 1)

6500

6500

6600

Vrrm = voltan terbalik puncak berulang

Vdrm = puncak berulang dari voltan negeri

VRSM = Voltan terbalik puncak yang tidak berulang (2)

Nota:

Semua penilaian ditentukan untuk TJ = 25 OC kecuali

sebaliknya dinyatakan.

(1) Semua penilaian voltan ditentukan untuk bentuk gelombang sinusoidal 50Hz/60ZHz yang digunakan

Julat suhu -40 hingga +125 oC.

(2) 10 msec. maks. lebar nadi

(3) Nilai maksimum untuk TJ = 125 oC.

(4) Nilai minimum untuk linear dan eksponen

Waveshape kepada 80% dinilai VDRM. Pintu terbuka.

TJ = 125 OC.

(5) Nilai tidak berulang.

(6) nilai DI/DT ditubuhkan dalam

Selaras dengan EIA/NIMA Standard RS-397, Seksyen 5-2-2-6. Nilai yang ditakrifkan akan menjadi tambahan kepada yang diperoleh dari litar snubber, yang terdiri daripada kapasitor 0.2 μF dan rintangan 20 ohm selari dengan thristor

di bawah ujian.


Repetitive peak reverse leakage and off state

IRRM / IDRM

40 mA

200mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

1000 V/μsec

Menjalankan - - di negeri

Parameter Symbol Min. Max. Typ. Units Conditions
Max. Average value of on-state current IT(AV) 1000 A Sinewave, 180o conduction TC=70 oC
RMS value of on-state current ITRMS 1650 A Nominal value
Peak one cpstcle surge ITSM 18 kA 10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj  = 125 oC
(non repetitive) current
I square t I2t 1620 kA2s
Latching current IL 1500 mA VD = 24 V; RL= 12 ohms
Holding current IH 500 mA VD = 24 V; I = 2.5 A
Peak on-state voltage VTM 2.65 V ITM = 1000A; Tvj= 125
Threshold voltage VTo 1.24 V Tvj= 125
Slope resistance rT 1.01 mΩ Tvj= 125
Critical rate of rise of on-state current (5, 6) di/dt 500 A/μs Switching from VDRM  < 1500 V,
non-repetitive
Critical rate of rise of on-state current (6) di/dt - A/μs Switching from VDRM < 3500 V
Gating

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

 

50

 

W

tp = 40 us

Average gate power

dissipation

PG(AV)

 

10

 

W

 

Peak gate current

IGM

 

10

 

A

 

Gate current required to

trigger all units

IGT

 

400

 

mA

mA

mA

VD = 6 V;RL  = 3 ohms;Tj  = -40 oC   VD = 6 V;RL  = 3 ohms;Tj  = +25 oC  VD = 6 V;RL  = 3 ohms;Tj  = +125oC

Gate voltage required to

trigger all units

 

VGT

 

-

2.6

-

 

V

V

V

VD = 6 V;RL  = 3 ohms;Tj  = -40 oC    VD = 6 V;RL  = 3 ohms;Tj  = 0- 125oC VD = Rated VDRM; RL  = 1000 ohms; Tj  = + 125 oC

Peak negative voltage

VGRM

 

10

 

V

Dinamik

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

td

 

 

-

 

 

μs

ITM = 1000 A; VD  = Rated VDRM   Gate pulse: VG  = 20 V; RG  = 20 ohms; tr  = 0. 1 μs; tp  = 20 μs

 

Turn-off time (with VR  = -50 V)

 

tq

 

 

700

 

 

μs

ITM = 1000 A; di/dt = 1A/μs;

VR > 200 V; Re-applied dV/dt = 20 V/μs linear to 67% VDRM; VG  = 0;    Tj = 125 oC; Duty cpstcle > 0.01%

Reverse recovery charge

Qrr

 

-

 

μAs

ITM = 2000 A; di/dt = 1.5 A/μs; VR > 200V

Garis besar dan Dimen sions.

YZPST-KP1000A6500V


Video

Hantar pertanyaan

Makluman produk

Langgan kata kunci anda yang berminat. Kami akan menghantar produk terbaru dan paling hangat ke peti masuk anda. Jangan terlepas sebarang maklumat perdagangan.